半导体晶体-锗(Ge)

  • 说明介绍
产品说明

用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池衬底等材料。

主要性能参数

生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数

a=5.65754 Å

密 度

5.323g/cm3

熔点

937.4℃

掺杂物质

不掺杂

掺Sb

掺Ga

类型

/

N

P

电阻率

>35Ωcm

0.01~35 Ωcm

0.05~35 Ωcm

EPD

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

Dia50.8 mm ,dia76.2mm, Dia100 mm

厚度

0.5mm,1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<100>、<110>、<111>、±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达1°以内)

斜切晶片

可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5Å(5µm×5µm)

包装

100级洁净袋,1000级超净室

通用参数
半导体晶体-锗(Ge)
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锗(Ge) 半导体晶体
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