铝酸镁（MgAl2O4）可以III-V族氮化物器件薄膜的衬底基片，同时广泛应用于声波和微波器件及快速 IC 外延基片，另外与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好,与硅的膨胀系数较为接近,硬度较小,加工性能较好等，因此可以作为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。目前我们可以提供最大直径2英寸的无孪晶、无晶畴、超光滑的高质量衬底基片（FWHM<50 arcsec,粗糙度Ra<0.5 nm）。
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主要性能参数 |
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生长方法 |
提拉法 |
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晶体结构 |
立方 |
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晶格常数 |
a=8.085Å |
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熔点（℃） |
2130℃ |
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密度 |
3.64g/cm3 |
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莫氏硬度 |
8 |
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颜色 |
白色透明 |
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热膨胀系数 |
7.45×10-6 /℃ |
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晶向 |
<100>, |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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Ф1″，Ф2″, |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
<100>、<110>、<111>±0.5º |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
| 产品型号 | 所属类目 | 文件 | 单价 | 发货日期 | 购物车 | |
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铝酸镁（MgAl2O4） | GaN薄膜基片 | ￥0.00 | 请联系客服 |
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