主要性能参数

生长方法

籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）

晶体结构

六方

晶格常数

a=3.08 Å     c=15.08 Å

排列次序

ABCACB

方向

生长轴或 偏<0001> 3.5 º

带隙

2.93 eV (间接)

硬度

9.2（mohs）

热传导@300K

5 W/ cm.k

介电常数

e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

尺寸

10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm等

厚度

0.5mm，1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:

≤5Å（5µm×5µm）

包装

100级洁净袋，1000级超净室